REM Flashcards

1
Q

REM

Bauteile

A

Gun

Kondensorlinsen -> ringförmige Elektromagnete
Objektivlinse

Scan coils -> Ablenkspulen

Detektoren -> SE-Detektor und EDX

Specimen -> verschiebbar und drehbar

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2
Q

REM

Eigenschaften

A

Infos Topologie -> SE

Infos chemische Zusammensetzung (BSE) über EDX

Infos Kristallorientierung

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3
Q

Infos Topologie -> SE

wie

A
  • > vergrößerung des Objektivs durch verkleinerung des Rasterfeldes
  • > Signalintensitäten als Kontrast
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4
Q

REM

Aufbau

A

Glühkathode mit Anode

Elektromagnete
Objektivlinse

Ablenkspule

Specimen

Seitlicher SE-Detektor
Detektoren

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5
Q

lineare Vergrößerung

Formel

A

= L / l

L = breite des Bildschirms
l = Dreite des Rasters auf der Probe
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6
Q

lineare Vergrößerung

Voreraussetzungen

A

auf wenige nm fokussierter Elektronenstrahl

umgekehrter Vergrößerungsstrahlengang der Lichtmikroskopie (verkleinerung Bildquelle)

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7
Q

Verkleinerung um b/g bei Brennlinsen

A

1/f = 1/g + 1/b

(um b erweitern)

b/g = b/f -1

(Abbildung)

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8
Q

wenn b/g -> 0

A

starke Verkleinerung:

dann g&raquo_space; b und b/f -> 1

Bild würde in der Ebene des hinteren Brennpunkts der Linse entstehen

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9
Q

Sondengröße

-was ist das?

-Verkleinerungen V1 und V2
(und WD)

A

entspricht Elektronenstrahl auf Probe

V1 = b1/g1

V2 = b2/g2 ^ b2 = WD = Arbeitsabstand

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10
Q

Sondengröße

  • Durchmesser des 1. Kathodenbildes
  • effektiver Durchmesser des Strahls auf der Probe
A
    1. Kathodenbilddurchmesser:
      d1 = d0 * V1 = d0 * (b1/g1)
  • Durchmesser Sondengröße:
    d2 = d1 * V2 = d1 * (b2/g2) = d1 * (WD/g2)

-> d2 = d0 * (b1/g1) * (WD/g2)

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11
Q

Sondengröße

begrenzung durch

A

spärische Aberration der Objektivlinse -> nach unten

minimiert durch Blende A -> Konvergenzwinkel

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12
Q

Strahlstrom Ip

A

Ip = I0 * (alpha1/alpha0)²

alphao = Öffnungswinkel Kondensorlinse
alpha1 = Öffnungswinkel Objektivlinse
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13
Q

Ip kleiner wenn

A

Brechkraft steigt und Sondendurchmesser kleiner wird

wenn A kleiner wird, weil alpha1 kleiner wird

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14
Q

Schärfentiefe h

wann wird es unscharf?

A

hoch im vergleich zum Lichtmikroskop!!

h = 0,1 [mm] / (Malpha)
mit
alpha = A/(2
WD)

-> h = (0,2 * WD [mm]) / ( M * A)

sobald Topographie h überschreitet

wenn A kleiner wird -> alpha kleiner -> steigt h!

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15
Q

Gesamtelektronenausbeute

  • Funktion
  • was fließt rein
  • wenn > 1
  • nutzbare Gesamtelektronenausbeute
A
  • als Funktion der Beschleunigungsspannung
  • Sekundärelektronenkoeffizient (δ) und Rückstreukoeffizient (η)

-wenn > 1:
dann erzeugen PE mehrere SE
auch Absorption tieferer Bereiche -> SE

  • für SE < 1
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16
Q

Sekundärelektronenkoeffizient (δ)

A

Spannungsabhängig !

BE pro PE

17
Q

Rückstreukoeffizient (η)

A

nahezu Spannungsunabhängig

abhängig von Ordnungszahl

BSE pro PE

18
Q

SE-Detektor:

Nachweis von SE

  • womit
  • bestandteile
  • wie angebracht
A

mit Everhart Thornley Detektor

= Szintillator und Photoelektronenvervielfacher

seitlich zur Probe angebracht für 3D Effekt
nicht beliebig kleiner Arbeitsabstand, da Elektronen erst oberhalb der Probe angezogen werden.

19
Q

SE-Detektor:

Everhart Thornley Detektor
-Funktionsweise

A

Elektronen zu Szintillator beschleunigt und rein
(hat Vorpannung, weil SE-Energie niedrig)

  • > Szintillator emmitiert dadurch Lichtblitze
  • > Umwandlung in Elektronenimpulse und vermehrung im Photoelektronenvervielfacher (Photoelektrischer Effekt)
20
Q

wann können SE den ET-Detektor nichtmehr erreichen?

A

durch abschalten oder schalten von leicht negativer Vorspannung
-> dann werden nurnoch die BSE gemessen, die (zufällig) in diese Richtung fliegen

21
Q

BSE-Detektor

Nachweis von BSE

  • womit
  • wo angebracht
A

Szintillator Detektoren z.B. Robinson Detektor
oder
Halbleiterdetektoren

meist oberhalb der probe, um den Elektronenstrahl herum

22
Q

Szintillator Detektoren:

Robinson Detektor

A

kurze Ansprechzeit -> hohe Rastergeschwindigkeiten möglich

groß -> hohe Arbeitsabstände nötig

23
Q

Halbleiterdetektoren

A

lange Totzeiten -> keine hohen Rastergeschwindigkeiten möglich

klein -> kleine Arbeitsabstände möglich

Topographie hat nur geringen Einfluss auf Kontrast
-> Einfluss über Sektoren/Raumwinkelbereiche vergrößert

24
Q

Steigern der Signalintensität

wie?
was passiert?

wann minimalste Ausbeute?

A

verkippen der Probe zum Elektronenstrahl
-> steigerung der bestrahlten Oberfläche

wenn senktrecht: minimalste mögliche Ausbeute

25
Q

Einfluss der Topographie

welche Effekte gibt es?

A

Schatteneffekt

Kanteneffekt

26
Q

Schatteneffekt

A

seitliche beschleunigung der SE Richtung Detektor

  • > auf Weg werden sie von hindernis absorbiert
  • > Detektor wirkt wie an Position einer “virtuellen diffusen Lichtquelle”
27
Q

Kanteneffekt

A

herausstehende Kanten scheinen viel heller

-> dort können insgesamt mehr Elektronen austreten (Abbildung)

28
Q

In-Lens-Detektor

A

veränderter SE-Detektor

SE werden entgegen Primärstrahl in ObjektivLinse gezogen

gut für unregelmäßige Probenoberflächen
-> Oberflächennahe SE

Detailschärfe höher weil höhere SE Empfindlichkeit

29
Q

Orientierungskontrast mit BSE

( MAterialkontrast mit BSE)

  • nennt man..
  • wann tritt es auf
  • was wird ebenfalls beeinflusst und wie
A

“Gitterführung” oder “Channeling”

wenn Elektronenstrahl parallel zu Netzebenen, dann kommt er viel tiefer ins Material rein
-> je tiefer, desto unwahrscheinlicher, dass BSE wieder austritt

  • > beeinflussung quanititativer Analysen mit EDX/WDX
  • > weniger char. X-rays