Materialanalytik Flashcards

1
Q

Festkörperanalytik

A

Analysebereich

bis 100 nm und größer

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Q

Dünnschichtanalytik

A

Analysebereich

1-10 nm

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3
Q

Oberflächenanalytik

A

Analysebereich

< 1 nm

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4
Q

Anregungsmöglichkeiten von Oberflächen

A

Photonen
Elektronen
Ionen
Neutronen

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5
Q

Antworten nach Anregung mit Elektronen

A

emission von Elektronen
(SEM,AES,EELS,RHEED)

oder

Emission von Photonen
(SEM/TEM-EDX, EPMA-WDX)

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6
Q

Auflösung der Elektronenstrahlsonde

A

Erwartung:
sehr hohe laterale Auflösung durch kleine (de-Broglie)-Wellenlängen

Realität:
nur theoretische Auflösung:
Auch abhängig von Linsen
-> Qualität der Elektronenlinsen (Nanochromatoren) schlechter als Glaslinsen

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7
Q

de-Broglie

A

r = (0.61*Lamda) / Alpha

Lamda = Wellenlänge
Alpha = Öffnungswinkel
r = Auflösung
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8
Q

Wechselwirkung von Elektronensonden

zwischen?
welche sind das?
was bedeutet das?

A

zwischen
negativen Strahlelektronen
und
positive Atomrümpfe der Materialmatrix

-> Coulomb WW

  • > starke Antwort
  • > wenig Probenvolumina möglich
  • > verringerung der Belichtungszeiten
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9
Q

Arten der WW

A

elastische WW
-> ohne Energieverlust

inelastische WW
-> mit Energieverlust

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10
Q

Unterteilung der

elastischen WW

A

Rücklenkung

  • > Rückstreuelektronen
  • > Wiederaustritt aus Material (Massive Proben)

Ablenkung

  • > zu hohen Winkeln
  • > zu kleinen Winkeln
  • > Vorwärtsstreuung nur im TEM
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11
Q

Probenvolumina

A

Abhängig vom Verfahren und Ergebniswunsch

GÖßERE (mikrometer³) 
-> mit EDX/WDX wie im REM/ESMA
(Abbildung: bis unten))
->laterale Auflösung gering
->Informationstiefe groß
KLEINERE (>(5nm)³)
-> TEM
(Abbildung: nur im Hals)
->laterale Auflösung hoch
->Informationstiefe klein
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12
Q

Antworten der Verfahren

A
  • Materialmatrix Zusammensetzung (qualitativ und quantitativ)
  • Aufbau äußere und innere Struktur (Morphologisch,Kristallgitter..)
  • Elektronische Struktur, Bindungen
  • räumliche Verteilung (Phasen, Verbindungen..)
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13
Q

Was einsetzen für:

Materialmatrix Zusammensetzung

A

EDX
WDX
EELS

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14
Q

Prozess hinter

EDX
WDX
EELS

A

Anregung durch Strahlelektronen:

WW mit Kernnahen e-

  • > Ionisation und lücke weil e- weg
  • > e- aus höherer schale will ersetzen
  • > Energieunterschied emittiert als char. RöntgenStrahlung
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15
Q

Was einsetzen für:

Struktur

A

TEM/STEM
(Mikrostruktur)

SAED, CBED, LEED
(Kristallgitter/Struktur)

EELS
(Kantenstrukturen)

REM/SEM
(Oberflächentopo)

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16
Q

Was einsetzen für:

Bindungen

A

AES

WDX mit ESMA
(Valenz,Oxid. zustand)

EELS
(Bindungszustand)

17
Q

Was einsetzen für:

Verteilung

A

AES

ESMA (WDX)

REM (EDX)

TEM/STEM (EELS,ESI,SI)