VL 6 - Übung Flashcards

1
Q

Wofür steht das Akronym CVD? Nennen die Betriebsmerkmale des Verfahrens.

A

CVD: chemisches Abscheideverfahren (Chemical Vapour Deposition) zur Erzeugung dünner Schichten auf einem Substrat. Der in der Dampfphase vorliegende Schichtwerkstoff reagiert
bei Drücken von 0,01 bis 1 bar und Temperaturen von etwa 200 bis 2000 °C chemisch mit dem Substratwerkstoff unter Zufuhr von Wärme- und/oder Strahlungsenergie, so dass an der Substratoberfläche eine dünne Schicht abgeschieden wird.

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2
Q

Wo werden CVD Prozesse eingesetzt?

A
  • Verschleißschutzschichten:
  • > Antireflex; Korrosion,
  • Werkzeugmaschinen,
  • Lichtwellenleiter,
  • Katalysatoren.

Hauptanwendungen:

  • Mikroelektronik (z.B.:Halbleiter),
  • Reparatur von Lithographiemasken.

Vorteile:

  • Konforme Schichtabscheidung,
  • Beschichtung komplexer 3D Flächen (z.B. Gräben).

Nachteile:

  • Eingeschränkte Materialauswahl,
  • Temperaturbelastung.
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3
Q

Nennen Sie zwei Mechanismen zur Aktivierung der Precursoren. Bei welchem Mechanismus
tritt die geringere Temperatur auf?

A
  • Pyrolytisch:
    chem. Reaktion beruht auf thermischer Aktivierung durch Substraterwärmung,
  • Photolytisch:
    chem. Bindungen werden direkt durch Laserstrahlung aufgebrochen:
    • > Geringere Prozesstemperature
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4
Q

Beschreiben Sie die charakteristischen Merkmale pyrolytischer und photolytischer Laser-CVD.

A

Pyrolytisch:

  • Lokale Erwärmung des Substrats mit Laserstrahlung,
  • Aktivierung der Precursoren an der heißen Oberfläche,
  • Strukturierte und ortsaufgelöste Schichtabscheidung

Photolytisch:

  • Aktivierung der Gasphase erfolgt oberhalb der Substratoberfläche durch energiereiche Photonen,
  • Wellenlänge des Lasers auf den Precursor abgestimmt,
  • Großflächige Beschichtungen möglich.
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5
Q

Nennen und beschreiben Sie die acht Prozessschritte eines kombinierten Laser-CVD Prozesses.

A
  1. Gaszufuhr,
  2. Photodissoziation (Molekültrennung durch Laserstrahlung) der Precursormoleküle,
  3. Diffusion (gleichmäßige Verteilung) der Precursormoleküle zur Substratoberfläche,
  4. Adsorption (Anlagerung) der Precursormoleküle an Substratoberfläche,
  5. Oberflächendiffusion und Gittereinbau,
  6. Chemische Reaktion und Aktivierung der Precursormoleküle mit Substrat,
  7. Desorption (Atome verlassen Substratoberfläche) der Reaktionsprodukte,
  8. Diffusion der Reaktionsprodukte weg von der Substratoberfläch.
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6
Q

Beschreiben Sie das Abscheideverfahren PECVD

A
  • Reaktionsenergie durch ein Plasma (beschleunigte Ionen) zugeführt,
  • Niedrigere Prozesstemperatur als beim thermischen CVD,
  • Direktplasma Methode:
    • > Plasma brennt direkt beim Substrat,
  • Remote Plasma Methode:
    • > Plasma brennt in einer Kammer
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7
Q

Wofür steht das Akronym PLD?

A
  • Pulsed Laser Deposition,
  • Physikalisches Abscheideverfahren (Physical Vapour Deposition),
  • Schichtbildung durch Abscheidung eines Targets,
  • Abtrag durch Laserstrahlung,
  • Intensitäten I > 109 W/cm².
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8
Q

Nennen Sie die Vor- und Nachteile eines PLD-Prozesses

A

Vorteile:
+ Anzahl Laserpulse legt Abtragsmenge fest,
+ komplexe stöchiometrische Zusammensetzung bleibt erhalten,
+ einfache Herstellung von Multilayern,
+ verschiedene Materialien,

Nachteile:

  • niedrige Abtrags-/ Abscheidegeschwindigkeit,
  • Tröpfchen-/ Clusterbildung
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9
Q

Welche zwei Größen beeinflussen die Materialdeposition?

A
  • Substrattemperatur,

- kinetische Energie der Partikel.

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10
Q

Wofür steht das Akronym LIFT? Erläutern Sie die Verfahrensschritte

A

LIFT - Laser Induced Forward Transfer.

  • Absorption der Laserstrahlung,
  • Aufheizen und Schmelzen der dünnen Schicht,
  • Schmelzfilm wird durch verdampfendes Material vom Donor-Substrat weggedrückt,
  • Beide Phasen (gasförmig und flüssig) werden vom Donor in Richtung Akzeptor weggeschleudert,
  • Das transferierte Material erstarrt auf dem Akzeptor-Substrat.
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11
Q

Welche Materialien können mittels LIFT aufgebracht werden

A
  • Beschichtung mit Metallen, - Halbleitern,
  • Keramiken und supraleitenden Materialen,
  • Polymeren,
  • Proteinen und Zellen.
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12
Q

Erläuter die Begriffe CAD, CAE und CA

A
  • Computer Aided Design: rechnerunterstütztes Konstruieren
  • Computer Aided Engineering:
    FEM/FEA, Werkzeuge für die dynamische Simulation,
  • Computer Aided Manufacturing: rechnerunterstützte Planung und Durchführung von
    Fertigungs-, Montage-und Prüfprozessen.
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13
Q

Was ist der Unterschied zwischen SLS und LPBF?

A

Selective Laser Sintering:

  • Sammelbegriff für Sinter- und Schmelzprozesse mit verschiedenen Werkstoffen,
  • Druckpulver: Kunststoffe, Keramiken, Metalle, Glas,
  • Teilweise nur partielle aufschmelzende Prozesse,

Laser Powder Bed Fusion:

  • Druckpulver: Metalle,
  • Vollständige lokale Aufschmelzung.
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14
Q

Wovon ist die Rauheit und Geometriegenauigkeit beim LPBF Prozess abhängig?

A
  • Die Rauheit ist abhängig von der Ausgangspartikelgröße, Schichtdicke, Schichtgröße,
    Partikelform, Homogenität der Partikel,
  • Die Geometriegenauigkeit ist abhängig von der Scanstrategie, Positioniergenauigke
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15
Q

Welche Eigenschaften weist ein mit LPBF hergestelltes Bauteil auf?

A

Nahezu Gebrauchseigenschaften. Es werden keine mehrkomponentigen Metallpulver (mit hoch- und niedrigschmelzendem Werkstoff) verwendet. Es werden handelsübliche
Pulverwerkstoffe ohne Binderzusätze verwendet. Durch das vollständige Aufschmelzen der
Pulverpartikel mit dem Laserstrahl wird eine Bauteildichte von bis zu 100 % erreicht. Deshalb entsprechen die mechanischen Kennwerte der LPBF-Bauteile weitgehend den Spezifikationen des verwendeten Werkstoffs.

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16
Q

Beschreiben das LMD-Verfahren.

A
  • Additives Herstellungsverfahren,
  • Nutzt die Technologie des Laserauftragschweißens,
  • Ein Bauteil wird Schicht für Schicht gedruckt,
  • Das Ergebnis ist ein netzförmiges Bauteil mit nahezu 100 % Dichte,
  • Die Größe der Komponenten ist nur durch das verwendete Handlingsystem begrenzt,
  • Typische Anwendung ist die Herstellung von Funktionsprototypen und Kleinserienteilen,
  • Zusätzlich ist es möglich, gefertigte Komponenten zu modifizieren.