Litografia Flashcards

1
Q

Passos litografia

A

1-Preparação do substrato
2-Pre-cozimento
3-Tratamento da superfície
4-aplicação do fotoresiste
5-Soft-Baking
6-Exposição
7-Cozimento Pos-exposição
8-Development
9-Hard-baking
10-Lift-off ou etching
11-Strip(remoção do resist)

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2
Q

Preparação da superfície

A

Objetivos:
-Remoção de contaminantes
-Remoção de partículas
-Reduzir a densidade de defeitos
-Melhorar a adesão do fotoresiste

Passos:
-limpeza química
-Lavagem
-Secagem

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3
Q

Pre- cozimento

A

Objetivos:
-Desidratação da superfície
-Promover a adesão de fotoresiste

Passos:
-Aquecer a amostra
-Aplicação de primário
-Arrefecimento da amostra

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4
Q

Aplicação do fotoresiste

A

Por spin coating
-Substrato fixo por vácuo
spray coationg
-Melhor eficiencia
-Melhor cobertura
dip coating

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5
Q

Soft baking

A

Objetivo:
Evaporar a maioria dos solventes do fotoresiste
Procedimento:
-O tempo e a temperatura são determinados polo tipo de matriz
-Over bake: leva à polimerização e consequentemente reduz a fotosensibilidade´
-Under bake: Afeta a adesão
-Pode ser feita em hot plates, fornos de convecção e microondas
-A amostra tem de ser arrefecida para evitar desalinhamentos por expansão térmica

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6
Q

Soft-baking

A

Objetivos:
-Evaporar maior parte dos solventes utilizados no fotoresiste

Passos:
-pode ser feito em hot plates, fornos de convecção ou microondas
-tempo e temperatura são determinados pelo tipo de matriz
-Over-bake vai causar polimerização e diminuir a fotosensibilidade
-Under-bake vai afetar a adesão e a radiação necessária
-É necessário arrefecer antes da exposiçõ para evitar desalinhamentos

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7
Q

Alinhamento e exposição

A

-Passo mais crítico no fabrico de IC’s

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8
Q

Cozimento Pós exposição

A

Objetivos:
-Promover o movimento das moléculas de fotoresiste
-Reordenar as moléculas nas áreas overexposed e underexposed
-Minimizar o efeito de onda
-Melhorar a resolução

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9
Q

Development

A

Objetivos:
-Dissolver o fotoresiste(o que é para ser retirado
-Criar o padrão desejado
– Procedure
• development
• washing
• drying

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10
Q

Hard baking

A

Objetivos:
-Evaporar o solvente
-Melhorar a resistencia ao etching
-Melhorar a adesão do fotoresiste
-Polimerizar e estabilizar a estrutura de fotoresiste
-Remoção de defeitos
-Alisamento das paredes de fotoresiste

Passos:
-tipicamente feito em hot-plate
-Underbake leva à fraca polimeração e baixa resistencia a etching e baixa adesão
- overbaking pode causar desalinhamentos e perda de resolução

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11
Q

Inspeção do padrão

A

Objetivos:
-Averiguar irregularidades no FR
-Verificar dimensões
-detetar desalinhamentos
-Se for detatado algum defeito o fotoresiste é retirado e o processo é recomeçado

Passos:
-Verificação feita por microscopia

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12
Q

Propriedades do fotoresiste

A

-Resolução alta
-Alta resistencia à erosão
-Boa adesão
-Boa tolerancia a mudanças no processo

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13
Q

Composição do fotoresiste

A

-polimeros
-Solventes(para ajustar a viscosidade)
-Sensitizers
-aditivos

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14
Q

tipos de fotoresiste

A

-Positivo(partes expostas saem, melhor resolução)
-Negativo(partes expostas ficam)

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15
Q

Tecnicas de litografia

A

Paralelo
-Otica
-Raio-x
Série
-E-beam

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16
Q

Litografia Ótica modos

A

-Contacto
-Proximidade
-Projeção

17
Q

Contact mode

A

-Requer equipamento mais acessivel
-Pode danificar a máscara e o substrato

18
Q

Proximity mode

A

-Equipamento acessivel
-Limitado pelo efeito da difração

19
Q

Projection mode

A

-Boa resolução
-Elevado custo do equipamento

20
Q

Litografia raio-X

A

-O resiste é exposto atrvés da mascaro com radiação raio-x
-“aspect- ratios” altos
-resolução limitada

21
Q

litografia E-Beam

A

-Rápida em padrões complexos
-Resolução afetada pela dispersão