Implantação Iónica Flashcards
Implantação iónica
-Wafer é colocada num acelerador de alta energia
-Impurezas são atiradas à wafer
-Processo de baixa temperatura
-Feito em vácuo
Stopping mechanisms
-Nuclear Stopping
-Colisão com o nucleo dos átomos da malha
-causa danos estruturais
-Eletronic Stopping
-Danos negligenciaveis
-Transferencia de energia muito pequena
Channeling effect
Se o angulo for certo um iao consegue andar grandes distancias sem que colida com atomos da rede.
Causa um perfil de dopante incontrolável
Evitar channeling
Girar a wafer
Mascara de oxido
Efeito de sombra
Masking
-Usada para controlar a dose implantada no silicio
-A eficácia da mascara depende da sua densidade
-Geralmente amorfa
Damaging e annealing
-Ioes implantados transferem energia para os ioes da rede
-atomos livre causam danos na rede
Tratamento termico ajuda a recuperar a estrutura cristalina
Equipamento para implantação ionica
-Implantador Iónico
