Kapitel 4 CVD Flashcards

1
Q

Wofür steht CVD?

und auf deutsch?

A

Chemmical Vapour Deposition

Chemische Dampfphasenabscheidung

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2
Q

Wie funktioniert CVD?

A

Bei der Chemical Vapor Deposition wird ein Feststoff aus der Gasphase ausgeschieden, der sich als Adatom am Substrat anlagert.

Die Gasmoleküle zersetzen sich in eine feste und eine Flüchtige Phase

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3
Q

Skizze CVD

A
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4
Q

Beispiele für CVD Reaktionen

A

Abscheidung von Siliziumkarbid

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5
Q

Unterscheidung APCVD und LPCVD

A

Atmospheric Pressure CVD:

Normaldruck, Hohe Abscheiderate, kurze mittlere freie Weglänge, Stofftransport und Oberflächentopographie spielen wichtige Rolle

Low Pressure CVD

Niedriger Druck, mittlere freie Weglänge ist größer als der Abstand der Substrate -> Stofftransport spielt keine wesentliche Rolle

Gleichmäßigkeit der Schichtdicke hängt von Temperaturunterschieden der Substrate ab

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6
Q

Schematischer Vergleich PVD, APCVD, LPCVD

A
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7
Q

Was ist PECVD?

A

Von PECVD , Plasma Enhanced CVD spricht man, wenn die notwendige chemische reaktionenergie nicht durch hohe Temperaturen, sondern durch ein Plasma zugeführt wird.

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8
Q

Was ist Epitaxie?

Was ist der Vorteil?

A

Epitaktisch abgeschiedene Schichten setzen die die Kristallgitter des Substrats übergangslos fort.

Die abgeschiedenen Schichten sind praktisch Spannungsfrei

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9
Q

Vorraussetzung für Epitaxie

A

Gleiches Atom oder anderes Atom mit gleichem Gitterabstand.

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10
Q

Wofür wird Epitaxie im besonderen Verwendet?

A

Epitaxie ermöglicht es beispielsweise in der Elektroindustrie gezielt Fremdkörper wie Phosphat oder Bor einzubringen und im Einkristall dotierte Schichten einzubringen.

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11
Q

Skizze Geräte für Epitaxie

A
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12
Q

Vergleich PVD - CVD

A
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13
Q

Was ist Plasmapolymerisation?

Warum sind so erzeugte Schichten besonders resistent?

A

Mit Hilfe eines Plasmas können auch Kunststofffschichten abgeschieden werden.

Durch das Plasma werden schwach gebunndene Monomere wieder abgetragen und es bleiben nur starke Bindungen zurück.

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