SzA9. Félvezetős tárak Flashcards
Félvezetős tárak jellemzője és csoportosításuk
Nagyságrenddel gyorsabb a merevlemeznél (~néhány nsec).
Csoportosítása:
* Írható (RAM)
* DRAM
* SRAM
* Főképpen csak olvasható (CMOS)
* Olvasható (ROM)
Mi a CMOS?
Complementary Metal-Oxide Semiconductor
A számítógépben lévő elemmel táplálva alacsony feszültségszinten, igen csekély fogyasztás mellett a számítógép kikapcsolása után is képes a benne tárolt adatok megőrzésére, s üzemi feszültségszinten pedig azok módosítására is. A CMOS lapka az adattároló egységen túlmenően tartalmaz egy órát is, mely az elem táplálásával a számítógép kikapcsolása után is képes követni az idő múlását.
Mi a ROM?
bekapcsolásakor e memória-típus segítségével éled fel a számítógép. Tartalma:
- Az egyes részegységek működőképességét letesztelő programok,
- BIOS: alapvető beviteli-kiviteli műveletek programjai
- A hálókártyán lévő ROM például a kártya MAC-címét tartalmazza.
Mi a RAM?
nem maradandó tárak (Random Access Memory)
Típusai:
- SRAM
- DRAM
- klassikus DRAM
- SDRAM
- SDR SDRAM
- DDR SDRAM
Statikus memória (SRAM)
a tárolt adat a tápfeszültség megszűnéséig marad meg. Az adatokat általában félvezető, flip-flop memóriában tárolják (4-6 tranzisztor). Ciklusidejük megegyezik az elérési idejükkel. Energiatakarékos, gyors, drága. Regiszterek, Cache.
Előnyei:
- nagyságrendekkel nagyobb a sebessége, mint a dinamikus RAM-nak.
- nem szükséges a tartalmat frissíteni, tápenergia meglétéig tárol.
Dinamikus memória (DRAM)
A memória elemi cellái néhány pF kapacitású kondenzátorok + 1 tranzisztor, melyek egy idő után kisülnek -> frissíteni kell. Előnye az olcsóság, alacsony fogyasztás és a kis helyigény.
A DRAM tárolja a CPU által végrehajtandó programokat és a feldolgozásra váró adatokat. Két legfontosabb tulajdonsága: tárolókapacitás és sebesség.
Valamint: megbízhatóság, tömeggyárthatóság, energiaigény, helyigény, bővíthetőség
DRAM típusok
- Klasszikus DRAM (aszinkron interface)
- SDRAM (Synchronus DRAM): nagyobb teljesítmény, 2000-től domináns
- SDR SDRAM (Single Data Rate)
- DDR SDRAM (Double Data Rate)
SDR SDRAM működése
Az SDR SDRAM a rendszersínnel van szinkronizálva -> válasz mindig órajelre történik, SDR esetében az órajelnek csak a felmenő élén történik adatátvitel.
Az adattároló több logikai egységre (logikai bankra) van felosztva -> a memóriavezérlő egyidejűleg több memóriahozzáférési parancsot hajthat végre.
Ezek a parancsok az egyes különálló bankok között a futószalag elvnek megfelelően el vannak csúsztatva (interleaved) -> ezért gyorsabb az aszinkronnál.
A futószalag elvű olvasás azt jelenti, hogy a kért adat az olvasási parancs kiadása után csak fix számú óraciklust követően jelenik majd meg. Ezt késleltetésnek (latency) hívják, amit fontos teljesítményparaméterként kell figyelembe vennünk.
SDRAM tápfeszültsége 3,3V, átviteli sebessége ~1000MB/s
DDR SDRAM működése
A single data rate (SDR) sebességű SDRAM-mal összehasonlítva, a DDR SDRAM interface magasabb sebességre képes, amit az adatok és az órajelek pontosabb időzítés-vezérlése tesz lehetővé. A DDR arra utal, hogy a memória bizonyos frekvenciákon közel kétszer akkora sávszélességet biztosít, mint az SDR SDRAM.
Az interfész kétszeres töltést alkalmaz, az órajelnek mind a felmenő, mind pedig a lemenő élén megtörténik az adat-továbbítás.
Az alacsonyabban tartott frekvenciának előnye, hogy mérsékli a memóriát (a vezérlőhöz csatlakoztató áramkörnek a jel-integritás iránti követelményeit csökkenti), azaz a hosszabb rendelkezésre álló időintervallum alatt a sérültebb jelet is képes helyesen értelmezni.
A technológia sajátossága, hogy a belső busz kétszer olyan széles kell, hogy legyen, mint a külső busz.
Két adatsáv, órajelenként két bit az I/O pufferbe.
2n Prefetch eljárás. DDR SDRAM tápfeszültsége 2,5V, átviteli sebessége ~3200 MB/s
DDR2 SDRAM
- Az alacsonyabb órafrekvencia-meghajtási igény miatt alacsonyabb energiafogyasztás
- Magasabb frekvenciával való meghajtás lehetősége, így jelentősen növelhető a sávszélesség
- Ugyanazon órafrekvenciájú meghajtás mellett nagyobb késleltetés, mint a DDR esetében
- Mivel 4 sávunk van, így órajelenként négy bit feldolgozására van lehetőség
- (4n Prefetch eljárás). A négy sáv miatt (4-1 konverzió) nő a késleltetés.
- DDR2 SDRAM tápfeszültsége 1,8V, átviteli sebessége eléri a 6400 MB/s-ot
DDR3 SDRAM
- A DDR3 szabvány lehetővé teszi, hogy egy chipben 8 Gbit tárolási kapcitást helyezzünk el.
- DDR3 SDRAM tápfeszültsége 1,5V, átviteli sebessége eléri a 17000 MB/s-ot.
tCL (CAS Latency)
az olvasási parancs és az első adat közötti idő
tRCD (RAS to CAS delay)
A bank(sor) megnyitásától az oszlop kiválasztása közötti idő
tRAS
A banksor aktiválása és lezárása (precharge) közti minimális idő.
tRP – tRow Precharge
(Előtöltés) ideje, a banksor bezárása utáni kötelező várakozási idő új banksor megnyitása előtt.