Transistor Flashcards
uit wat is een transistor opgebouwd
het is opgebouwd uit 3 halfgeleiderkristallen die samengevoegd worden
welke 2 typen van transistoren heb je
de NPN- en de PNP-transistor
Teken de kristalstructuur, diodevoorstelling en het symbool voor een NPN-transistor
Teken de kristalstructuur, diodevoorstelling en het symbool voor een PNP-transistor
Wat is het transistoreffect
dat is dat de elektronen uit de emitter een zeer grote aantrekkingskracht ondervinden ten gevolge van de spanning aangesloten aan de basis
wanneer treedt het transistoreffect op
wanneer de beide spanningen gelijktijdig aangesloten worden
formule van IE en IC + samengevoegd voor IE
IE = IC + IB
IC = αDC * IE
(0 < αDC < 1)
IE = αDC * IE + IB
hoeveel basisschakelingen bestaan er die gebruikt worden om transistors te schakelen +
uit wat bestaan die en hoeveel aansluitdraden hebben die
3 +
uit een in- en uitgangskring en elke kring heeft 2 aansluitdraden
welke schakelingen zijn er + afkorting
gemeenschappelijke basisschakeling of GBS
gemeenschappelijke emitterschakeling of GES
gemeenschappelijke collectorschakeling of GCS
Stel de formule op van IC Dmv de formules
IE = IC + IB en IE = IC / αDC
(2 formules samennemen)
(2 eindformules)
wat is hFE + ander symbool
De gelijkstroomversterkingsfactor
+ βDC
welke 3 karakteristieken heb je bij de transistor + symbolen
de uitgangskarakteristiek IC = f(UCE)
de ingangskarakteristiek IB = f(UBE)
de stroomversterkingskarakteristiek of transfertkarakteristiek IC = f(IB)
van welke karakteristiek is deze grafiek
de uitgangskarakteristiek
van welke karakteristiek is deze grafiek
de ingangskarakteristiek
van welke karakteristiek is deze grafiek
de stroomversterkingskarakteristiek
wat gebeurd er in het eerste gebied van de uitgangskarakteristiek
De transistor is niet in geleiding want de spanning UCE is kleiner dan de saturatiespanning UCESAT
wat gebeurd er in het tweede gebied van de uitgangskarakteristiek + hoe noemen ze het
De collectorstroom is bijna onafhankelijk van de collector-emitterspanning UCE maar is nog wel afhankelijk van de basisstroom IB + ze noemen dat het normale werkingsgebied
wat gebeurd er in het derde gebied van de uitgangskarakteristiek
hier stijgt de UCE boven de UCEMAX
hier kan de transistor heel hard beschadigd worden
Hoe ziet de grafiek eruit als we de 3 karakteristieken samennemen
