TGI Speicher 5 nur RAM/ROM Flashcards
DRAM
Flüchtig, kleiner, billiger, slower als SRAM.
Besteht aus Kondensator und Transistor(um 1 bit zu speichern). Lesen und Schreiben.
Speicherung: Daten durch Kondensatoren.
Verwendung: Arbeitsspeicher(RAM), computer main memory.
More data can be stored, high power consumption, manufacturing is complex.
Regelmäßige Refresh nötig, sonst Datenverlust
FRAM
nicht flüchtig, ist teuerer, langsamer als SRAM.
Fram kann nicht so viel Daten pro Speicherzelle speichern.
Lesen und Schreiben.
Speicherung: Daten durch ferroelektrische Materialien.
Material: FRAM-Chips
Verwendung: In Entwicklung, potenzieller Ersatz für SRAM, wo hohe Liestung ist erforderlich.
Kann Daten beschreiben und löschen. Weniger anfällig für Datenverlust durch Strahlung
MRAM
nicht flüchtig; schneller, use less power, than DRAM.
Lesen und Schreiben.
Speicherung: Daten durch magnetische Speicherung.
Material: MRAM-Chips (hold realtively little Data).
Verwendung: In Entwicklung, potenzieller Ersatz für SRAM.
Can’t operate at lower voltages.
Don’t require periodic charge refresches.
SRAM
Flüchtig, teuer, größer, schneller, takes up more space als DRAM.
Schnell Lese- und Schreiben/zugriffe und Umschaltzeiten.
Speicherung: Daten durch Flip-Flops.
Material: Transistoren (6)
Requires multiple Transistors to store one bit.
Verwendung: Cache-Speicher, CPU-Register, Akkumulatoren.
Delivers faster access time.
Kein Refresch nötig, aber flüchtig, (weil kein Kondensator gibt)
MROM
Typ: Fest verdrahtetes ROM.
nicht flüchtig, irreversibel.
Nur Lesen, fast read-speed. Programmierung einmal während der Herstellung.
Belichtungsmaske teuer, lohnt nur in großen Stückzahlen.
Material: Maskierte Halbleitermatrix
Verwendung: Firmware, BIOS, Bootloader, game Data.
PROM
nicht flüchtig, irreversibel.
Nur Lesen. Bei kleinen Stückzahlen, billiger als MROMs
Programmierung: Einmalig durch Hochspannungs- oder UV-Licht.
Material: Spezielle PROM-Chips
Verwendung: Firmware, Konfigurationsspeicher
EPROM
nicht flüchtig, reversibel, günstig.
Daten bleiben nach den Ausschaltungen gespeichert.
Lesen und Löschen, aber nur Schreiben in speziellen Zyklen.
Können nur eine begrenzte Anzahl an Lösch-Schreibzyklen durchlaufen.
Kann gelöscht und neu programmiert.
Material:Spezielle Halbleiterstrukturen, die durch hohe Spannung programmiert und durch UV-Licht gelöscht werden konnten.
Verwendung: Firmware, BIOS Konfigurationsspeicher, jetzt durch eeprom und flash-eprom eingesetzt.
EEPROM
nicht flüchtig, reversibel; langsamer, braucht mehr Energie als SRAM, schneller als Flasch-EEPROM, teuer als E-/PROM.
Kann nicht so viele Faten speichern, wiel Flasch-EEPROM.
Lesen und Schreiben.
Programmierung: Byteweise oder blockweise.
Material: EEPROM-Chips.
Verwendung: Konfigurationsspeicher, Einstellungsdaten.
Can be reprogrammed multiple times.
FLASH-EEPROM
nicht flüchtig, reversibel, kompakt, klein, gut für mobile Geräte; braucht weniger Energieverbrauch.
Lesen und Schreiben.
Programmierung: Blockweise
Material: Flash-Speicherchips
Verwendung: USB-Sticks, SSDs, Speicherkarten.
Kann daten lang speichern, aber weniger Speicherkapazität.
Begrenzte Schreibzyklen.
