Test 1: Unit 2 Flashcards
Les propiete cristallin sont liées a
la facons dont les atoms, ions et molecules sont disposé dans l’espace
la maille elementaire represente
la symetrie de la structure, la position relative des atoms.
Elle defini par geometry et positions des atoms qui la compose
CFC: latome situe au coin est
partager en 8
CFC: latome au centre de la face est
partager en 2
CFC: combien datome complet dans 1 maille
4
CFC: caracteristique importante (2)
- le nombre de coordination
2. Compacité
CFC: le nombre de coordination est de
12
CFC: le nombre de coordination est defini comme
Le nombre datome premiere voisin ou contigus
CFC: compacite habituel est de
0.74
CC: comment est la maille fait (en term datomes)
1 atome au centre et 1/8 atome a chaque coin (8 coins)
CC: de quelle maniere les atoms ce touche
tangente
CC: combien datomes associer par maille
2
CC: le nombre de coordination est de
8
CC: la compactabilité est de
0.68
HC: maille equivaut a __ atomes
6
HC: nombre de coordination est de
12
HC: compacibilité est de
0.74
un polymorphisme est
un metaux avec plus dune structure cristalline
une allotropie est
des solides élémentaire avec plus dune structure cristalline
quest qui determine la structure cristalline prevalente
la temperature et la pression exterieur
la transformation allotropique saccompagne de
une modification de la masse volumetrique et de dautre propiete phyisique
system cubique est
a=b=c, alph=beta=gamma
System hexagonal
a=b/=c, alph=beta= 90, gamma= 120
system quadratique
a=b/=c, alph=beta=gamma=90
system rhomboedrique
a=b=c, alph=beta=gamma/=90
System orthohombiue
a/=b/=c, alph=beta=gamma=90
System monoclinique
a/=b/=c, alph=beta=90/=gamma
System triclinique
a/=b/=c, alph/=beta/=gamma/=90
Une direction cristallographique est
une ligne entre 2 points
Direction crist: etapes
- place a lorigine
- determiner longeur
- multiplier / diviser les 3 nombres par facteur commun
- inscrire entre parentese carré
V ou F: plusieur distribution non parallel ayant des indice different sont equivalent
V
ceci veut dire que lespace atomique est le mem dans chaque direction
quest quest une famille (parenthese pointue)
les distributions non parallel ayant des indice different sont equivalent
HC: combien daxes
4
Plan crist: indices de miller sont sous forme
(hkl)
Plan crist: Etapes
- choisir origine qui ne touche pas le plan
- etablire longeur des intersections
- inverser les nombres
- Si besoin multiplier/diviser par nombre commun pour ramener au plus petit nombre complet
- exprimer (hkl)
V ou F: les cristaux cubique possedent une caracteristique qui leur est propre: les plas et les direction qui on les memes indices sont parallele
F. Ils sont perpendiculaire
que represente une famille de plan
Plan equivalent, ceux dont la densité surfacique est identique
les densités planair et linéaire sont important pour
le glissement
le glissement est
le mechanism de deformation plastique des metaux
Le glissement survient
dans des plans cristallographic les plus dense
un joint de grain est
la place ou 2 grains se rencontre
le caractre directionnel des proprietes (anisotropie) est associe a …
la variation de l’espacement atomique ou ionique en fonction de la direction cristallographique
Quand les propiete mesurer sont indepandant de la direction, ce sont
des isotropes
V ou F: le degré d’anisotropie augment a mesure que decroit la symetrie structural
V
quest quil arrive quand les grains d’un materiau polycristalliin manifestent une orientation cristallographique predominante
cree la texture du materiau
caracteristique de solid non crystalin
absence dun arrangement systematique et regulier des atomes sur des distance atomique relativement longues
structure amorphes se distinguent par
leur structu atomique ou molaire relativement complexe
Quest ce qui favorise la formation dune structure non crystalin
le refroidissementt rapid sous le point de congelation
Une lacune est
l’absence d’un atome dans un site ou il devrait y en avoir un
les lacunes ___ l’entropie des cristaux
accroissent
V ou F: n1 est une fonction croissante de la temperature
V
V ou F: A une temperature inferieure au point de fusion, la proportion de lacunes est de lodre 10a la -4 pour la plupart de metaux
V
Un atome auto-interstitel est
un atome qui occupe n site interstitiel (petit espace entre les atoms du reseau)
V ou F: un atome auto-interstitel cree de forte distorsions dans le reseau
V
parce quil occupe un espace nettement plus grand que le site interstitiel
V ou F: la concentration des atomes auto-interstitel est plus faible que celle des lacune
V, parce quelle exige bcp plus denergie quune lacune
pourquoi form ton des alliage
pour obtenir de meilleur propiete mechanique ou avoir des characteristique presise
solvent est
la substence presente en plus grande proportion (peut etre un element ou compose)
Soluté est
lelement dont la concentration est la plus faible
comment former une solution
quand laddition dimpurtés ne modifie pas la structure cristalline d’une maniere hote
Laddition dimpurté cause quelle sorte de defaut (2)
- solution solide de substitution
2. solution solide d’insertion
Solution solide de substitution est
les atomes en solution remplace des atomes hotes
Pour quun soluté puisse entrer en solution de substitution, la difference des rayons des 2 types datomes est
inferieur a 15%
sinon trop grande distortion= nouvelle phase se forme
Pour quun solvant puisse dissodre un soluté, la structure cristalline de chachun doit etre
identique
V ou F: l’electronegativite du solvant et du soluté doivent etre semblable
V
sinon chance quils forment composé intermetallique au lieu de solution solide
V ou F:un metal pourra plus facilement dissoudre un metal de valence plus grande quun metale de valence plus petit
?
V ou F: normalement, la concentraton max des atomes d’impurte interstitiels est faible (moin de 10%)
V
dislocation coin est
defaut centre autour d’une ligne le long de laquelle se termine un demi-plan atomique supplementaire a l’interieur du crystal
ligne de dislocation est
la structure dureseau est deformer
V ou F: ligne de dislocation deformation dimune avec distance
V
dislocation vis est
un defaut lineaire resultant dun cisaillement du reseau
comment on determine le type de dislocation
par lorientation du vecteur de burgers par rapport a la ligne de dislocation ( perpendiculaire pour coin, paralelle pour vis, mix si ni paralelle ni perpendiculaire)
Quest qui cause les dislocation
processus de solidification, deformation plastique, choc termique de refoidisement rapid
les defaut de surfaces sont
des frontiere a 2 dimention qui separe les regions des materiaux qui differe par leur sructure cristaline ou orientation cristallographique
Ex de defaut de surface
joint de grain, exterieur de surface, plan de maclage, faute dempilement…
est ce que les atoms situe sur surface exterieur son en contact avec un nombre max d’atomes
non, donc un etat energique superieur au atom intern
pourquoi les materiau tendent a reduire leur surface exterieur
pour dimiuer lenergi externe
quand la difference doreination entre les grain est petit
les joint de grains ont une faible angularité
V ou F: joint de grains a faible angularité ce forme lors queplusieur dislocation coin son alligné
V
V ou F: le sous-joint de torsion est quand angle du defau d’orientaton des grains est parallel
V
sous-joint de torsion se form lorsque
il y a une suite de dislocation vis
V ou F: lenergie interfaciale est plus grande pour des joint de forte angularite
v
V ou F: les joints des grains sont plus reactif que les grain eux meme
V
V ou F: lenergie interfactial est plus faible dans les materiaux a gros grain
V
surface total est plus petit quand il y a gros grain
V ou F: a temperature lelever, la taille des grain augmente
V
V ou F: larrangement des atoms et le nombre de liasion atomiques au voisinage des joints de grain n’affaiblit pas les maeriaux polycristallins
V car force de cohesion a linterieur de chaque joints
V ou F: densite dun echantillon de materiau polycristallin est presque la meme que cell d’un monocristal du meme materiau
V
Le plan maclage est
un defaut (de type particulié)
le plan macles result de
deplacement atomique qui peuvent etre enendre par des force de cisaillemet ou traitement thermique
