MOSFET Flashcards
Verlustleistung eines FET
In Abhängigkeit von Strom und Spannung
Ptot = Verlustleitung
UDS = Drain-Source-Spannung
ID = Drain-Strom
Verlustleistung eines FET
In Abhängigkeit der Temperatur
Ptot = Verlustleitung
Tj = grösst zulässige Kanaltemperatur
TA = Umgebungstemperatur
Rthja = Thermischer Widerstand in K/W
Haupteinsatzgebiet von FETs
werden hauptsächlich als Schalter und Verstärker eingesetzt
Vorteile von JFET und MOSFET
- Leistungslose Steuerung
- Kleinere Schaltzeiten als BJT
- Höhere Grenzfrequenz als BJT
- Niedrigeres Eigenrauschen als BJT
Mosfet Grundschaltungen
Source-Schaltung
Mosfet Grundschaltung
Drain-Schaltung
Mosfet Grundschaltung
Gate-Schaltung
mosfet Source-Schaltung
Spannungsverstärkung
Vu = Spannungsverstärkung
S = Steilheit
RL = Lastwiderstand
rDS = Differentieller Ausgangswiderstand
Mosfet Source-Schaltung
differentieller Eingangswiderstand der Schaltung
re = Differentieller Eingangswiderstand der Schaltung
RG = Gatewiderstand
R1 = Vorwiderstand für Arbeitspunkt
rGS = differenzieller Eingangswiderstand des FET
Mosfet Source-Schaltung
differentieller Ausgangswiderstand der Schaltung
ra = Ausgangswiderstand
rDS = Differentieller Ausgangswiderstand
RL = Lastwiderstand
Mosfet Drain-Schaltung
Spannungsverstärkung
Vu = Spannungsverstärkung
S = Steilheit
RL = Lastwiderstand
rDS = Differentieller Ausgangswiderstand
Mosfet Drain-Schaltung
differentieller Eingangswiderstand der Schaltung
re = Differentieller Eingangswiderstand der Schaltung
RG = Gatewiderstand
R1 = Vorwiderstand für Arbeitspunkt
rGS = differenzieller Eingangswiderstand des FET
Mosfet Drain-Schaltung
differentieller Ausgangswiderstand der Schaltung
ra = Ausgangswiderstand
rDS = Differentieller Ausgangswiderstand
RL = Lastwiderstand
Schaltzeichen des Mosfet
peplation (normal leitend)
p-Channel
Schaltzeichen eines Mosfet
peplation (normal leitend)
n-Channel