MOSFET Flashcards
Verlustleistung eines FET
In Abhängigkeit von Strom und Spannung
Ptot = Verlustleitung
UDS = Drain-Source-Spannung
ID = Drain-Strom
Verlustleistung eines FET
In Abhängigkeit der Temperatur
Ptot = Verlustleitung
Tj = grösst zulässige Kanaltemperatur
TA = Umgebungstemperatur
Rthja = Thermischer Widerstand in K/W
Haupteinsatzgebiet von FETs
werden hauptsächlich als Schalter und Verstärker eingesetzt
Vorteile von JFET und MOSFET
- Leistungslose Steuerung
- Kleinere Schaltzeiten als BJT
- Höhere Grenzfrequenz als BJT
- Niedrigeres Eigenrauschen als BJT
Mosfet Grundschaltungen
Source-Schaltung
Mosfet Grundschaltung
Drain-Schaltung
Mosfet Grundschaltung
Gate-Schaltung
mosfet Source-Schaltung
Spannungsverstärkung
Vu = Spannungsverstärkung
S = Steilheit
RL = Lastwiderstand
rDS = Differentieller Ausgangswiderstand
Mosfet Source-Schaltung
differentieller Eingangswiderstand der Schaltung
re = Differentieller Eingangswiderstand der Schaltung
RG = Gatewiderstand
R1 = Vorwiderstand für Arbeitspunkt
rGS = differenzieller Eingangswiderstand des FET
Mosfet Source-Schaltung
differentieller Ausgangswiderstand der Schaltung
ra = Ausgangswiderstand
rDS = Differentieller Ausgangswiderstand
RL = Lastwiderstand
Mosfet Drain-Schaltung
Spannungsverstärkung
Vu = Spannungsverstärkung
S = Steilheit
RL = Lastwiderstand
rDS = Differentieller Ausgangswiderstand
Mosfet Drain-Schaltung
differentieller Eingangswiderstand der Schaltung
re = Differentieller Eingangswiderstand der Schaltung
RG = Gatewiderstand
R1 = Vorwiderstand für Arbeitspunkt
rGS = differenzieller Eingangswiderstand des FET
Mosfet Drain-Schaltung
differentieller Ausgangswiderstand der Schaltung
ra = Ausgangswiderstand
rDS = Differentieller Ausgangswiderstand
RL = Lastwiderstand
Schaltzeichen des Mosfet
peplation (normal leitend)
p-Channel
Schaltzeichen eines Mosfet
peplation (normal leitend)
n-Channel
Schaltzeichen eines Mosfet
Enhancment (normal sperrend)
n-Channel
Schaltzeichen eines Mosfet
Enhancment (normal sperrend)
p-Channel
Eingangswiderstand eines Mosfet
rGS
rGS = 1014 Ohm
(Terraohm)
EIngangskapazität eines Mosfets
CGS
2pF bis 5pF
Leckstrom eines Mosfets IGSS
0.1 bis 10 pA
Reststrom eines Mosfet
ID(off) bei 25 Grad Tj
10 bis 500 pA
Reststrom eines Mosfet
Reststrom eines Mosfet
ID(off) bei 125 Grad Tj
10 bis 500 nA
Durchlasswiderstand von Mosfets
200 Ohm (kleinsignal)
mOhm (power)
Sperrwiderstand eines Mosfet
RDS(off) = 1010 Ohm