Memorie Flashcards

1
Q

Come sono organizzate le memorie?

A

In parole (word) di lunghezza fissa, di solito 4 byte = 32 bit

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2
Q

Di quanti di indirizzamento ho bisogno per una memoria di N parole?

A

log2(N)

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3
Q

Come indivuiduo una singola parola nella memoria?

A

Con un’indirizzo binario (bit di indirizzo) decodificati da un decoder con cui posso accedere alla locazione che mi interessa in lettura o scrittura

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4
Q

Come seleziono i singoli bit di una parola?

A

Con un multiplexer comandato da m bit di spiazzamento di parola e un bus di output

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5
Q

Metodi di accesso alle memorie

A
  • Sequenziale: dati scritti e letti in ordine prestabilito, devo scorrerli tutti prima di trovare il dato (DVD o nastri)
  • Diretto: ogni blocco ha un indirizzo a cui posso accedere direttamente (HDD)
  • Random: I dati possono essere letti o scritti in qualunque ordine (RAM)
  • Associativo: La ricerca dei dati avviene in base al contenuto piuttosto che all’indirizzo di memoria (CACHE)
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6
Q

Gerarchia delle memorie

A

Registri CPU
CACHE
RAM
HDD

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7
Q

3 Grandi categorie delle memorie

A
  • RWM (Read & Write Memory)
  • ROM (Read Only Memory)
  • NVRWM (Non-Volatile Read & Write Memory)
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8
Q

Componenti BASE di una memoria

A
  • Core: Array di elementi dove memorizzo le informazioni (varia a seconda del tipo e della tecnologia della memoria utilizzata)
  • Periferiche: Circuiti di interfaccia (decoder, sense amplifier, driver dei bus)
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9
Q

ROM

A

Memorie da sola lettura programmate una sola volta durante la fabbricazione (diodi o BJT).
Si usa per OS o funzioni base

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10
Q

Come posso migliorare le performance delle memorie che usano diodi?

A

Usando i diodi schottky che hanno una Vgamma di 0.3 V e maggiore velocità di attivazione

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11
Q

Perchè non sono modificabile le ROM?

A

I diodi o i bjt sono saldati sulla scheda in fase di produzione

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12
Q

Perchè è preferibile usare i bjt al posto dei diodi?

A

Per evitare il ccto tra riga e colonna

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13
Q

Pro e contro di sostituire i bjt con dei mos nelle ROM?
In quali casi uso uno o l’altro?

A

Pro:
- Miniaturizzazione (più piccoli)
- Non dissipo potenza dal gate
- Costo minore

Contro:
- Velocità minore rispetto ai bjt

Mos: memorie grandi
Bjt: registri, cache

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14
Q

Circuiti ROM

A

Disegni

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15
Q

PROM

A

Memorie programmabili una sola volta con speciali programmatori che modficano fisicamente e irreversibilmente la memoria (rompo i fusibili controllando la corrente)

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16
Q

Circuiti PROM

A

Disegni

17
Q

EPROM

A

Usa i FAMOS (Floating-gate Avalanche-breakdown Metal Oxide Semiconductor) con grandi correnti accumulo cariche in una buca di potenziale così posso alzare la Vgs dei transistor.
Memorizzo 0 o 1 come carica/non-carica nel gate flottante

18
Q

Come riprogrammo le EPROM?

A

Possono essere riprogrammate tramite esposizione (prolungata : problema 20 min) a luce UV che rimuove gli elettroni deposistati da Igs sul gate flottante

19
Q

Circuito EPROM

A

Disegno

20
Q

EEPROM

A

Eletronically Erasable Programmable Read Only Memory
Sfrutto l’effetto tunnel applicando una tensione alta (18 V) carico il gate flottante dei FLOTOX che mi interessa -> memorizzo un 1.
Per cancellare la memoria mi basta applicare una tensione inversa (-18 V) che rimuove le cariche dal gate flottante così posso riprogrammarla

21
Q

Quale problema incontro con le EEPROM con solo FLOTOX?

A

L’Erase disturb: quando scrivo su (i,j) cancello (i+1, j+1).
Curcuito e spiegazione

22
Q

Come risolvo il rpoblema delle EEPROM?

A

Elimino l’erease disturb aggiungendo un mosfet sopra il FLOTOX.
Circuito e funzionamento