Kapitel 1 Flashcards
1) Nennen Sie wichtige Sensoranwendungen in der Automobiltechnik;
Beschreiben Sie eine dieser Anwendungen genauer;
Welche Art von Siliziumsensoren kommt dabei zum Einsatz?
Prevention Technologies: Bessere Sicht (Kamera, Radar) -> RF MEMS -> Mikro-Bolometer Bessere Konzentration (Klima)
Response Technologies: Antiblockiersystem -> Hall-Sensor Bremsassistent -> RF MEMS ESP/VSC -> Gyroscope, B-Sensor
Protection Technologies:
Sitzposition, Gurtstraffer
Airbags, Airbag-Auslösung
-> Si-MEMS B-Sensor
2) Mikro- u. Nanostrukturen können mit Hilfe von Top-Down und/oder Bottom-Up Verfahren erzeugt werden.
a) Beschreiben Sie die grundlegende Idee beider Verfahren.
b) Nennen Sie konkrete Beispiele für beide Verfahren
Bottom-Up:
Atome u. kl. Moleküle werden m. H. chemischer Bindungen zu größeren Einheiten verbinden.
Polymere aus Monomeren. DNA, RNA, Proteine. Carbon Nanotubes. Fullerene.
Top-Down:
Photolitographie, subtraktiv vom großen zum kleinen.
Möglichkeit von hohem Durchsatz durch traditionelle Litho bzw hohe Auflösung mit Ion/E-Beam..
Herstellung von Pentium Prozessoren mit Lithographie von Wafern..
3) Silizium-Bauelemente werden mit Hilfe von Batch-Fabrikationsverfahren hergestellt.
a) Was versteht man unter Batch-Fabrikationsverfahren?
b) Worauf gründet sich die Ökonomie dieses Verfahrens?
Gleichzeitige Fertigung vieler Einzelbauelemente auf Wafer-Ebene. Immer größere Wafer und kleinere Einzelbauelemente bzw. komplexerer Architektur die Grundelemente verknüpft auf gleichbleibenden Chipgröße sorgt für “bezahlbare Komplexität” durch parallele Fertigung großer Zahlen ~ Batches.
Was versteht man unter dem Moore´schen Gesetz?
Die Prognostizierte Verdoppelung der Integrationsdichte (Transistoren pro Flächeneinheit) alle 12(/18/24) Monate.
~ Selbsterfüllende Prophezeiung..
“Der exponentielle Zuwachs an Rechenleistung durch die Miniaturisierung von Bauelementen.”
Entwicklung der Elektronikindustrie folgt diesem Trend über die letzten vier Jahrzehnte
4) Skizzieren Sie die Idee des lithographischen Fertigungsverfahrens.
a) Wodurch ist die minimal herstellbare Strukturgröße limitiert?
Lichtquelle (Fokussierung) Maske Foto-Resist Substrat/Sample
- > Belichtung
- > Entwickeln
- > Ätzen
Bzw
Radiation Source
Illumination Control System
Resist coated sample
Limitiert durch die Wellenlänge der Strahlenquelle -> Beugungslimitierte Auflösung
EUVL Feature Size ~ 13nm