Chapitre 4 Flashcards

Propriété de l'atome et modèle atomique moderne

1
Q
A
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2
Q

Effet écran

Pq les niv d’enrg orbitale ↓ d’un niv à l’autre

A

Lorsque 2 couches électronique inférieur sont remplies un é ext subit une charge effective + faible que la charge du noyau

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3
Q

Impact selon les niv

A

Plus un niv est proche du noyeau = + il est pénétrant
s<p<d

même sous-couche pas vrm d’effet écran

  • 2 sous- couvhes diff, mais même niv d’enrg = effet écran partiel
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4
Q

Échelle cases quantiques

Règles remplissage orbitale(3)

A

1: Min enrg potentielle
-Début orbitale + bas
2: 2 é p/orbitales (+/-)
3: ↑ ensuite ↓ dans case

1s
2s 2p^6
3s 3p^6 3d^10
4s 4p^6 4d^10 4f^12
(barré ↙)

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5
Q

Exception remplissage orbitale

A

orbitale d ø sphérique = mieux de remplir prochain orbital s
s^2d^4/ 9 => s^2d^5/10

confi demi/complète = + rempi -> symétrie additionnelle les stabilisant

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6
Q

Confi électro des anions

A

+ é à l’orde de remplissage régulier

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7
Q

Confi électro des cations

A

Enlève normalement, mais attention à exception (d->s)

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8
Q

Propriété magnétique

Déf diamagnétique

A
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9
Q

Propriétés magnétiques

Diamagnétique

A

En pairs (appariés)
= 2 dans cases

ø attiré par champs magnétique

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10
Q

Propriétés magnétiques

Paramagnétique

A

non-apparié
= tout seul dans case

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11
Q

Charge effective

Comment calculer

A

Zeff= Z(numéro atomique)- effet écran (nb é de coeur)

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12
Q

É de coeurs

A

Niv électro inférieur com plet
- ø participe réaction chimique
- responsable effet écran

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13
Q

Électron de valence (périphérique)

A
  • é présent dans dernières couches électro
  • responsable propriétés chimiques

Métaux de transition:
*couche d/f peuvent être inclus = jusqu’à 10é

Nb é valence = + ↓ niv oxydation du métal

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