Chapitre 4 Flashcards
Propriété de l'atome et modèle atomique moderne
Effet écran
Pq les niv d’enrg orbitale ↓ d’un niv à l’autre
Lorsque 2 couches électronique inférieur sont remplies un é ext subit une charge effective + faible que la charge du noyau
Impact selon les niv
Plus un niv est proche du noyeau = + il est pénétrant
s<p<d
même sous-couche pas vrm d’effet écran
- 2 sous- couvhes diff, mais même niv d’enrg = effet écran partiel
Échelle cases quantiques
Règles remplissage orbitale(3)
1: Min enrg potentielle
-Début orbitale + bas
2: 2 é p/orbitales (+/-)
3: ↑ ensuite ↓ dans case
1s
2s 2p^6
3s 3p^6 3d^10
4s 4p^6 4d^10 4f^12
(barré ↙)
Exception remplissage orbitale
orbitale d ø sphérique = mieux de remplir prochain orbital s
s^2d^4/ 9 => s^2d^5/10
confi demi/complète = + rempi -> symétrie additionnelle les stabilisant
Confi électro des anions
+ é à l’orde de remplissage régulier
Confi électro des cations
Enlève normalement, mais attention à exception (d->s)
Propriété magnétique
Déf diamagnétique
Propriétés magnétiques
Diamagnétique
En pairs (appariés)
= 2 dans cases
ø attiré par champs magnétique
Propriétés magnétiques
Paramagnétique
non-apparié
= tout seul dans case
Charge effective
Comment calculer
Zeff= Z(numéro atomique)- effet écran (nb é de coeur)
É de coeurs
Niv électro inférieur com plet
- ø participe réaction chimique
- responsable effet écran
Électron de valence (périphérique)
- é présent dans dernières couches électro
- responsable propriétés chimiques
Métaux de transition:
*couche d/f peuvent être inclus = jusqu’à 10é
Nb é valence = + ↓ niv oxydation du métal